Effetto di ampliamento della zona di base
L'effetto di modulazione della larghezza di base dei transistor bipolari (o chiamato effetto di modifica della larghezza di base) è un fenomeno in cui la larghezza effettiva della base cambia con la tensione applicata.
La larghezza della regione di carica spaziale della giunzione PN è determinata dalla tensione applicata e dalla concentrazione di impurità. Quando il transistor è nello stato di funzionamento dell'amplificatore, la giunzione dell'emettitore è polarizzata in avanti, la giunzione del collettore è polarizzata inversamente e la tensione di polarizzazione inversa VCB è relativamente alta. Con l'aumento della tensione di polarizzazione inversa, aumenta la larghezza della regione di carica spaziale della giunzione del collettore, il che riduce la larghezza effettiva della regione di base. Quando la tensione di polarizzazione inversa diminuisce, la larghezza della regione di carica spaziale della giunzione del collettore diminuisce, determinando la larghezza effettiva della regione di base. aumentare. Quindi Ic diventa più piccolo. Questo fenomeno per cui la larghezza effettiva della regione di base cambia con la tensione applicata è chiamato effetto di modulazione dell'ampiezza della regione di base, noto anche come effetto Early.